K-shell ionization and characteristic x-ray radiation by high-energy electrons and positrons in oriented silicon crystals
이 논문은 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 1~1000 GeV 고에너지 전자와 양전자가 배향된 실리콘 결정에서 K 껍질 이온화를 일으키며 방출하는 특징 X 선의 각도 분포 진화와 비단조적 거동, 그리고 전자의 디채널링 과정의 영향을 상세히 분석하고 그 물리적 메커니즘을 규명했습니다.