Orientation-controlled area-selective deposition of near-single-grain ruthenium interconnects
본 논문은 결정질 템플릿 상의 우선적 성장을 활용하고 주기적인 오존 노출을 통해 원치 않는 핵을 제거하는 배향 제어 영역 선택 증착 전략을 제시하며, 이를 통해 나노스케일 비아(via)에서 저항과 전기적 변동성을 현저히 감소시킨 근단결정 루테늄 인터커넥트의 제작을 가능하게 한다.