Symmetry-guided interfacial Ti incorporation in epitaxial Sr-doped HfO2 memristors for energy-efficient analog computing
본 연구는 에피택셜 Sr 도핑 HfO₂ 내의 대칭 유도 계면 Ti 삽입이 강유전상(ferroelectric phase)을 안정화하고 캐리어 수송을 조절함으로써, 이미지 재구성 및 로봇 제어와 같은 작업을 위한 초저에너지 인메모리 컴퓨팅을 달성하는 1,104개의 아날로그 상태를 가진 고내구성 멤리스터를 가능하게 함을 입증한다.