Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
본 연구는 수직 방향 응고(VDS) 공정에서 자가 배향된 시드(seed)의 형성과 그에 따른 동적 환형 갭(annular gap)의 진화를 통해 Sb 기반 반도체의 지속적인 장길이 완전 분리 결정 성장이 달성되었음을 입증하며, 이는 구조적 완벽성이 현저히 향상되고 전위 밀도가 감소한 결정을 생성한다.