Minimal-process CMOS-compatible resistive switches with intrinsic analog plasticity via oxygen implantation in Si
이 논문은 뉴로모픽 애플리케이션에 적합한 산소 결함 기반 스위칭 및 누적 결함 재구성을 나타내는 제어된 비양론적 SiOₓ 층을 생성하기 위해 실리콘에 산소를 직접 주입함으로써, 고유한 아날로그 가소성을 갖는 안정적인 저항성 스위치를 제작하는 최소 공정 및 CMOS 호환 방식을 입증한다.