Composition-Driven Defect and Interface Engineering in Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄ Nano-Interlayers for High-Performance Cu/p-Si MIS Schottky Ultraviolet Photodiodes
본 연구는 Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄ 나노 중간층 내 Zn 치환을 통한 조성 구동 결함 및 계면 공학이 Cu/p-Si MIS 쇼트키 광다이오드의 구조적 및 전자적 특성을 유의미하게 향상시켜, 높은 반응도, 양자 효율 및 검출력을 갖춘 최적화된 자외선 검출 성능을 결과적으로 도출함을 입증한다.