Electric-field effects on defect migration energetics in GaN
本研究开发了一种用于 GaN 的 ReaxFF 反应力场,旨在证明外部施加的电场通过电荷-晶格耦合非线性且各向异性地调制缺陷迁移能垒,从而为高场环境下的器件可靠性提供关键见解。
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凝聚态物理中的介观尺度领域,正探索着微观量子世界与宏观经典物理之间迷人的交界地带。在这里,电子的行为既不完全遵循单个原子的规律,也不完全服从大块材料的特性,而是展现出独特的集体行为,为未来量子计算和新型电子器件奠定了基石。
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本研究开发了一种用于 GaN 的 ReaxFF 反应力场,旨在证明外部施加的电场通过电荷-晶格耦合非线性且各向异性地调制缺陷迁移能垒,从而为高场环境下的器件可靠性提供关键见解。
本文从理论上证明了局部磁场通过抑制克莱因隧穿并产生可调控的准束缚态,能有效限制单层WSe量子点中的大质量狄拉克费米子,为控制过渡金属二硫化物纳米结构中的自旋-谷输运提供了一种极具前景的机制。
本文表明,通过使用超强酸对二硫化钨(WS)进行化学处理以钝化硫空位,可以有效消除迟滞现象,并使 WS 能够作为一种可扩展的高性能封装材料用于石墨烯,从而实现与最先进的六方氮化硼器件相当的室温迁移率。
本文提出了一种新型非经典微天线,该天线利用三维拓扑绝缘体中的自旋动量锁定,从亚波长源产生高效的各向异性电磁辐射,从而在无需相控阵的情况下实现波束转向。
本研究报告了在洁净菱形四层和五层石墨烯中发现的一类多样化的非常规超导电性,其特征在于磁场诱导的增强以及远超泡利极限的鲁棒性,同时证明了近邻效应引入的自旋-轨道耦合进一步扩展了这一相图,从而能够实现非阿贝尔准粒子的工程化构建。
本文提出了一种基于单粒子密度矩阵的哈密顿量无关框架,该框架扩展了模态-壳层对应关系(mode-shell correspondence),用以表征高阶拓扑相,包括分数壳层指数以及在非晶系统中对结构无序的鲁棒性。
本文提出,在二维 电子 kagome 系统中,倾斜反铁磁序可以通过内禀贝里曲率和标量自旋手性产生具有潜在极大陈数()的量子反常霍尔效应,且即使在不存在外磁场或自旋轨道耦合的情况下也是如此。
本文阐明了由于自由能连续性约束,完美的平衡态超导二极管在热力学上是被禁止的,从而解释了为什么实际器件中的高整流效率通常依赖于非平衡态、亚稳态或外部驱动,而非其内在的平衡属性。
本文通过分子束外延和溅射技术,展示了 BiSe/缓冲层/[Pt/CoB/Ru] 异质结构生长的优化过程,揭示了关键的缓冲层厚度对于抑制 BiSe 阶梯状生长并实现适用于自旋电子学应用的具有明确畴结构的均匀垂直磁各向异性至关重要。
本文研究了一种具有可调边界耦合和准周期无序的一维非互易晶格,揭示了准周期性可以诱导标度不变局域化的破缺,从而根据边界条件导致非厄米皮肤效应或扩展机制的出现。