Investigation on the temperature dependence of substrate-induced in-plane uniaxial magnetic anisotropy in Ni thin films grown on 128{\deg} Y-cut LiNbO3
本研究表明,在 128° Y 切 LiNbO3 基底上进行的 Ni 薄膜沉积后退火处理,由于残余应变引起的磁弹性耦合,诱导产生了随温度变化的单轴磁各向异性,而生长态薄膜则保持各向同性并在低温下表现出非常规的磁滞行为。