Reducing strain fluctuations in quantum dot devices by gate-layer stacking
本文通过数值模拟证明,通过优化重叠栅极及其间氧化层厚度以平衡相反的应变机制,可以近乎完全地抑制由金属栅电极引起的 Si/SiGe 量子点器件中的短程应变波动。
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凝聚态物理中的介观尺度领域,正探索着微观量子世界与宏观经典物理之间迷人的交界地带。在这里,电子的行为既不完全遵循单个原子的规律,也不完全服从大块材料的特性,而是展现出独特的集体行为,为未来量子计算和新型电子器件奠定了基石。
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本文通过数值模拟证明,通过优化重叠栅极及其间氧化层厚度以平衡相反的应变机制,可以近乎完全地抑制由金属栅电极引起的 Si/SiGe 量子点器件中的短程应变波动。
本文提出了一种针对超导跨子(transmon)比特的综合最优控制框架,通过系统地考虑退相干机制并识别以增强噪声鲁棒性的退相干甜点(dephasing sweet spots),实现了具有 内禀误差抑制的 12 纳秒高保真度受控 Z 门。
本文证明了在半填充三角晶格霍夫施塔特-哈伯德模型中,增加轨道通量会稳定一个 手性自旋液体相,其中电子分次为能隙自旋子和电荷子,从而产生将能带拓扑与内在拓扑序联系起来的独特光谱特征。
本研究表明,在约200°C下的原位退火增强了畴有序性,并使基于BiSe的拓扑绝缘体-磁性多层结构能够实现场诱导磁斯格明子成核,同时尽管拓扑绝缘体薄膜发生了结构退化,该界面仍能在高达350°C的温度下保持磁鲁棒性。
本文介绍了单壁碳纳米管中的对卤苯基量子缺陷,作为一种稳健的、室温下的、近红外光学平台,用于初始化和读取三线态自旋态,从而实现在环境条件下对顺磁分子的高光稳定性量子传感。
本文为时间反演对称性破缺超导体中的内禀光学反常霍尔效应建立了一个统一的量子几何理论,区分了幺正和非幺正配对态的微观要求,并提供了一个识别其特定配对对称性的框架。
本文建立了一个仅利用哈密顿量来表征拓扑相的通用框架,通过引入一种基于连通性的空间重构,将拓扑识别与空间嵌入解耦,从而将拓扑诊断扩展到诸如复杂网络之类的抽象平台。
本文表明,在具有谷简并的双层系统中,高层间电压偏置会诱导动力学层-谷伪自旋进动,从而稳定反并行的谷构型,进而产生动力学隧穿阻塞,极大地抑制了交流和直流层间电流。
本文通过利用 MaSQE 模拟优化栅极杠杆臂,展示了对耦合到铌微波谐振器的 Si/SiGe 双量子点的快速且灵敏的色散读取,在无需高阻抗谐振器的情况下,实现了 14.48 MHz 的带宽和 0.000186 e/√Hz 的电荷灵敏度。
本文展示了在单层 与 的原子级锐利横向界面处,自下而上构建可调控一维偶极激子的过程,揭示了其离散量子态、各向异性扩散以及通过静电掺杂实现的动态可重构性。