An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
本文表明,通过特定的掺杂设计和接触结构构建窄空间电荷区,亚带隙氮化铝(AlN)光电探测器利用深能级缺陷介导的光响应,实现了对超强蓝光和高温环境的非饱和线性响应,从而能够在极端的工业及航空航天环境中实现可靠传感。
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凝聚态物理与材料科学的交汇点,正以前所未有的速度重塑我们对物质世界的理解。从超导体到新型电池材料,这一领域致力于探索微观粒子的排列如何决定宏观世界的性能。Gist.Science 在此板块特别关注源自 arXiv 的最新预印本,它们代表了该领域最前沿的突破。
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本文表明,通过特定的掺杂设计和接触结构构建窄空间电荷区,亚带隙氮化铝(AlN)光电探测器利用深能级缺陷介导的光响应,实现了对超强蓝光和高温环境的非饱和线性响应,从而能够在极端的工业及航空航天环境中实现可靠传感。
本文介绍了一种智能体引导的多保真度学习框架,该框架利用结构智能体来诊断 GW-Bethe-Salpeter 计算中的数值不稳定性,并应用机器学习修正来准确预测应变 MoS2-WS2 双层材料中的准粒子和激子特性,从而证明了显式检测数值脆弱性对于可靠地对激发态材料进行代理建模至关重要。
本研究表明,通过在600°C下的热处理过程,可以在硅上快速形成具有稳定微观结构和一致特性的相纯超导铂硅化物(PtSi)薄膜,从而为CMOS兼容的量子器件建立了一个稳健的制备窗口,同时确定界面粗糙化是相转变的内在结果,而非热降解所致。
本研究利用先进的从头算(ab initio)计算和对称性破缺分析,证明了由于负激子能量的存在,单层和双层 1T-HfTe2 会自发形成激子绝缘体态,而这种状态在三层及体相形式中并不存在,且理论预测与实验观察高度吻合。
本文研究了在图案化和非图案化 Si/SiO2 基底上射频溅射钇铁石榴石(YIG)薄膜的退火后结晶行为,旨在为悬浮磁子器件建立制备路线,同时指出对于完全释放的结构仍需进一步的化学计量比优化。
本研究展示了在2英寸MOCVD生长外延片上实现的高度均匀、高压横向-GaO MOSFET的晶圆级制造,实现了超过3 kV的击穿电压以及适用于下一代功率应用的卓越器件一致性。
本文表明,通常在平衡态中被抑制的亚稳相,可以作为由李-杨零点所划定的热场复平面区域进行追踪与表征,从而为理解和工程化周期性驱动系统中非平衡集体态提供了一种新的框架。
本文提出了一种基于传输矩阵法模拟训练的高斯过程代理模型,该模型将 GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜光谱的预测速度比传统方法提高了约 70 倍,尽管其在准确度上逊于随机森林基准模型,但提供了校准良好的不确定性估计。
本研究展示了通过异氰基ات在Au(111)上的[1+1+1+1]环加成反应,实现了四氮杂[4]径向烯的高化学选择性和立体专一性表面合成,随后通过由对映选择性分子识别驱动的长期二维结晶形成同手性结构。
本文表明,一种基于信息匹配的主动学习框架可以通过针对相关中间量,高效地生成用于预测金属塑性强度的定制化原子间势函数,同时也强调了为了解决残余模型误差而进行事后不确定性膨胀的必要性。