Room-temperature magnetic p-n junctions for charge-and-spin diodes
该研究开发了一种由 p 型非晶磁性半导体与 n 型硅构成的室温磁性 p-n 结,该器件不仅具备典型的电荷二极管特性,还展现出独特的自旋二极管功能,并通过空间电荷调控实现了显著的磁增强效应。
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该研究开发了一种由 p 型非晶磁性半导体与 n 型硅构成的室温磁性 p-n 结,该器件不仅具备典型的电荷二极管特性,还展现出独特的自旋二极管功能,并通过空间电荷调控实现了显著的磁增强效应。
本文通过数值模拟深入研究了 Lieb 晶格中的等离激元激发,揭示了其在不同掺杂及衬底条件下具有长寿命、特殊色散关系的稳定模式,并发现其静态屏蔽特性与石墨烯相似而非赝自旋 -1 材料。
该研究通过第一性原理计算,提出硅中 N 线系色心(如 N1 中心)可能由碳 - 氮间隙原子对及更复杂的含自间隙原子和氧原子的复合缺陷构成,这些与 T 中心等电子的缺陷为低能通信波段提供了潜在的自旋双态量子比特候选者。
本文提出了一种统一的学习框架,通过基于不变表示和神经常微分方程的通用架构,在相同条件下系统比较了多种热力学一致的非弹性本构建模方法,从而隔离并评估了热力学结构假设(如对偶性、正交性及凸性)对模型可学习性、表达能力、稳定性及泛化性能的具体影响。
该研究揭示了一种钨基多主元合金,其通过引入广泛的迁移能垒和显著的空位跳跃异质性,将空位扩散网络碎片化至渗流阈值以下,从而在辐射剂量增加四个数量级的极端条件下有效抑制了缺陷团簇的生长,为设计本征抗辐射材料提供了基于渗流工程动力学的新范式。
该研究通过用三价 In 原子取代二价 Sn 原子制备了 Co3SnInS2 化合物,发现这种取代不仅抑制了拓扑电子特征,还将原本的铁磁半金属态 Co3Sn2S2 转变为具有反铁磁关联、低温半导体行为及异常霍尔效应显著减弱的近非磁性半导体态。
该研究提出并验证了一种在莫尔超晶格中利用均匀光照驱动静态非均匀电荷重分布的机制,揭示了其不受晶体对称性限制且可由局域直流光电流主导的特性,从而为通过光强和频率原位调控莫尔周期静电势开辟了新途径。
该研究利用非微扰数值方法,首次揭示了波交替磁体在有限温度下的莫特绝缘体 - 金属转变相图,发现交替磁体诱导的几何阻挫能稳定有限温度下的关联磁性金属态并提升磁相变能标。
该研究报道了在 130-140 GPa 和 3000 K 以上条件下合成了一种具有无限扶手椅状链结构的一维金属聚合氮(1D-PN),其不仅预测具有 21.19 K 的超导转变温度,且在常压下兼具高能量密度与热力学稳定性,展现出作为电子和能源材料的双重应用潜力。
本文提出了一种可解释的机器学习框架,通过解耦分子本征效能与平台效应,结合高通量筛选与第一性原理验证,成功发现了多种具有优异界面钝化潜力的新型钙钛矿太阳能电池分子。
该研究首次利用威廉姆逊 - 霍尔分析法,揭示了镁在快斜坡压缩极端动态条件下随压力升高而发生的纳米晶粒度演化及微观应变变化规律。
本文介绍了一种采用低温多步退火工艺在轻掺杂 n-GaAs 上制备 Cr/Au 欧姆接触并集成漏电流抑制结构的电容耦合 GaAs p-i-n/衬底光电探测器,该器件能够检测对应于每脉冲 10^6 个电子的信号,为未来高能 X 射线三维成像探测器的开发提供了关键性能验证。
该研究首次利用 Ni²⁺与 Cr³⁺的协同发光效应,通过时间门控双离子寿命和单离子寿命策略,实现了在极端动态环境下对压力和温度进行完全解耦、超高灵敏度且互不干扰的双功能光学传感。
本文提出了名为 HERB 的统一框架,该框架基于 Rice-Beltz 概念并结合氢输运与空洞生长机制,通过热力学一致的理论模型将氢致脆性中的多种机制(如 HEDE、HELP、NVC 和 HESIV)统一起来,从而在多尺度上重塑了对氢与位错相互作用的理解。
本文通过自助熔剂法成功生长了高质量 CrSb 单晶,并通过电阻、磁化率和比热等输运及热力学性质测量,确认了其强电子关联缺失、显著正磁阻及无超导特性,从而确立了 CrSb 作为室温磁子和自旋电子学应用理想候选材料的地位。
该研究利用飞行时间光电子能谱揭示了具有各向异性电导率的鲁苯微晶中菱形与三角形扇区在双波长光调控下截然不同的电荷积累行为,并通过表面电容与漂移扩散模型定量描述了其能带移动动力学,从而实现了空间与时间可控的内建电荷景观构建。
本研究通过实验与理论证实,具有内禀面外偶极矩的 CVD 合成合金 MoSSe 能有效分离电子 - 空穴对并延长激子寿命,从而实现了基于光栅效应可调控模式的高灵敏度宽谱光电探测。
本文提出了一种包含柯氏应力项的热力学一致非等温相场模型,用于研究熔体流动与凝固的耦合动力学,揭示了热毛细效应及强制对流对枝晶生长形态和速度的显著影响,并数值验证了粘度插值方案对无滑移边界条件实现的重要性。
本文提出了一种利用倾斜狄拉克/外尔半金属中任意角度势垒界面实现纯静电谷滤波的新机制,通过广义转移矩阵法证明了该方案可在无需磁场等二次效应的情况下,通过谷依赖的折射与反射效应产生有限的谷极化电导。
本文采用 Pechini 溶胶 - 凝胶法结合阳离子分子混合技术成功制备了 Li 掺杂 Bi-2223 超导体,发现 5 mol% Li 掺杂样品在显著简化传统固相反应繁琐工艺的同时,实现了与前者相当的 111.4 K 最高临界温度,并揭示了其层状晶体生长机制及磁通动力学特性。