🔬 materials science
Exciton multipolarity controls coherent and squeezed phonons in van der Waals heterostructures
这项研究揭示了范德华异质结构中的激子多极性是控制光诱导层间呼吸模式的设计原则，其中偶极激子产生相干声子，而四极激子产生压缩态，并能够通过外加电场在这些机制之间进行切换。
🔬 Category
cond-mat.mtrl-sci
4071 篇论文
凝聚态物理与材料科学的交汇点，正以前所未有的速度重塑我们对物质世界的理解。从超导体到新型电池材料，这一领域致力于探索微观粒子的排列如何决定宏观世界的性能。Gist.Science 在此板块特别关注源自 arXiv 的最新预印本，它们代表了该领域最前沿的突破。
为了打破专业壁垒，我们团队会对 arXiv 上的每一份新论文进行深度处理，提供通俗易懂的通俗解读与详尽的技术摘要。无论您是寻求灵感的工程师，还是希望快速掌握动态的研究者，都能在这里找到清晰的路径。以下是该领域最新发布的论文精选，带您直击科学探索的最前线。
🔬 materials science
Experimentally constrained modeling of the Pockels response of KNbO3 and KTaNbO3
通过将密度泛函理论计算与远红外测量相结合，以修正谐振近似在捕捉软模频率方面的失效，本研究对 KNbO3 和 KTN 中 德克尔效应响应的建模进行了实验约束，揭示了 KTN 作为标准技术的低能替代方案所具有的卓越电光潜力。
🔬 materials science
Hierarchical automation of scanning probe microscopy through agentic orchestration and algorithmic control
本文提出了一种用于扫描探针显微镜的分层自主实验框架，该框架将用于高层科学推理与策略选择的智能体 AI 与用于精确、可靠物理执行及定量分析的确定性算法协同结合。
🔬 materials science
Synthesis and Characterization of Compositionally Complex (Gd/Ho/Er/Dy)2Zr2O7 Thin Film Combinatorial Library
本研究采用高通量组合薄膜合成与多模态表征技术来绘制 (Gd/Ho/Er/Dy)₂Zr₂O₇ 陶瓷的结构-性质关系图谱，揭示了实验观测到的最大晶格参数，而非阳离子尺寸无序或等原子组成，与热导率显著极小值相关。
🔬 materials science
Type-II Dirac points and Dirac nodal loops on the magnons of square-hexagon-octagon lattice
本文研究了源自联苯网络（biphenylene network）的各向异性方-六-八边形晶格上的拓扑磁振子，提出了一种无需狄拉克相互作用（DMI-free）的机制来产生以 不变量为特征的 II 型狄拉克点和狄拉克节点环，并分析了它们的拓扑相变、手性边缘模以及相关的热霍尔效应和爱因斯坦-德哈效。
🔬 optics
Optical Point-Spread Function via Defocus Phase Retrieval in Scanning Electron Microscopy
本文提出了一种离焦相位检索方法，该方法通过分析金纳米颗粒的一系列焦面图像，成功重建了未校正扫描电子显微镜的光学点扩散函数，从而实现了在 20 keV 下的实验性像差定量分析。
🔬 optics
Quantum Geometry of Altermagnetic Magnons Probed by Light
本文提出将双循环拉曼光谱作为一种通用的光学探针，通过检测交替磁性马格农（altermagnetic magnons）的动量依赖手性和增强的非线性光-马格农相互作用，来识别交替磁性马格农，从而无论其底层的马格农拓扑结构如何，都能将交替磁体与反铁磁体区分开来。
🔬 mesoscale physics
Gyrotropic Fingerprints of Magnetic Topological Insulator-Unconventional Magnet Interfaces
本文通过证明内禀旋向磁响应的横向位移分量作为一个高保真度对称性指纹，其特征在于具有在导电分量中基本不存在的独特角谐波和符号反转模式，从而确立了塞曼量子几何学作为识别绝缘异质结构中非常规磁序的一种强大框架。
🔬 applied physics
Shallow Trap States Control Electrical Performance of Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
本研究表明，非晶态 InGaZnO 薄膜晶体管的电学性能受导带附近浅陷阱态的严格控制，并明确指出位于 ~0.32 eV 处的 Ga-Ga-In 氧空位缺陷是主导因素，同时建立了一种无需参数的模拟方法，能够根据测得的态密度准确预测器件特性。
🔬 materials science
When Literature Data Mislead Artificial Intelligence in Materials Discovery
本文表明，人工智能驱动的材料发现过程受到文献衍生数据集中系统性误差和歧义（例如文本与图表不匹配以及单位不一致）的显著影响，这些问题引入了结构化标签噪声，并使得改进可追溯报告和策展实践变得必要。