Resolving growth-induced off-stoichiometry in AgCrSe single crystals
本研究揭示,通过化学气相输运法生长的AgCrSe单晶因氯掺杂而系统性偏离化学计量比,从而抑制了其磁相变温度,并证明优化自熔剂生长法可获得具有本征磁学性质的化学计量比晶体,进而为重新评估该材料报道的反常输运现象建立了可靠的平台。
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本研究揭示,通过化学气相输运法生长的AgCrSe单晶因氯掺杂而系统性偏离化学计量比,从而抑制了其磁相变温度,并证明优化自熔剂生长法可获得具有本征磁学性质的化学计量比晶体,进而为重新评估该材料报道的反常输运现象建立了可靠的平台。
本综述考察了自旋波技术的基本原理、历史里程碑和近期材料进展,评估了其在应对 5G 和 6G 射频通信系统的可扩展性、频率及能效需求方面的潜力,同时概述了实际应用中面临的当前挑战与未来路径。
本文通过引入各向异性屏蔽交换势,解决了各向同性交换关联泛函在描述二维材料时的局限性,该势能可准确复现带隙及总能量的分段线性特征。
本研究利用原位扫描电镜数字图像相关技术和电子背散射衍射技术证明,冷加工AA-5052铝合金的裂纹止裂受控于从以弹性为主到以塑性为主的能量分配的可测量转变,其特征为裂纹尖端钝化以及过程区扩展至超出晶粒尺度。
本研究利用三元相图设计特定成分,以在宽温区(10–650 K)内最大化磁熵变并展现多阶段冷却应用潜力,从而探究可调铁磁 Kagome 体系 NdB( = Fe、Co、Ni)中的磁热效应。
本研究证明,通过在预图案化硅衬底上控制薄膜与衬底的反应,可以调控不相溶的银 - 铜薄膜的微观结构,并通过半解析动力学模型揭示了不同的生长机制和晶界扩散机制,该模型已得到实验数据的验证。
本文从理论上证明,在强磁场下的二维电子气中,具有幂律拖尾的密度扰动会在其外部产生一个电流被指数级抑制的大范围“禁行”区域以及一个旋转的朗道尔电阻偶极子,且这些效应会进一步受到电子粘滞性的调制。
本研究系统探究了介电屏蔽如何影响半导体(GeS、SnS 和 2H-WSe)中的弗洛凯 - 沃尔科夫修饰效应,表明偏振依赖的边带强度可揭示材料的介电性质,而源自内反射的倏逝场则在泵浦 - 探测测量中产生延迟的沃尔科夫复制态。
本文介绍了 SPARSE,这是一个开源 Python 框架,它通过采用将快速初始扫描与对已识别感兴趣区域的选择性重扫描相结合的两阶段方法,显著降低了在大面积范围内对稀有微观结构特征进行高分辨率扫描电子显微镜成像的采集时间。
本理论研究证明,通过双色飞秒双脉冲可精确调控晶体硅中的超快能量吸收,其最佳波长组合及 underlying 激发机制会随激光强度区间的变化,从多光子带间吸收转变为隧穿电离与带内加速。