Room-temperature shape-memory effect in Sr(NiCu)P
这项研究表明,通过在 中引入铜(Cu)取代,可以调节其晶体结构状态(ucT、tcO 和 cT)之间的转变,并能将 tcO 与 cT 状态之间巨大的热滞后现象调节至接近室温,从而使其具备作为室温形状记忆材料的应用潜力。
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凝聚态物理与材料科学的交汇点,正以前所未有的速度重塑我们对物质世界的理解。从超导体到新型电池材料,这一领域致力于探索微观粒子的排列如何决定宏观世界的性能。Gist.Science 在此板块特别关注源自 arXiv 的最新预印本,它们代表了该领域最前沿的突破。
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这项研究表明,通过在 中引入铜(Cu)取代,可以调节其晶体结构状态(ucT、tcO 和 cT)之间的转变,并能将 tcO 与 cT 状态之间巨大的热滞后现象调节至接近室温,从而使其具备作为室温形状记忆材料的应用潜力。
本文通过数值对角化方法研究了 和 的二维海森堡反铁磁模型,探讨了从弹跳晶格(bounce-lattice)到枫叶晶格(maple-leaf-lattice)再到精确二聚体系统的自旋激发能隙随相互作用强度变化的关系。
本文提出了一种全固态电池失效的新动力学规律,即由循环尺度的“界面呼吸”与缓慢累积的“反应记忆”共同驱动,并指出设计目标应从单纯追求高电导率转向同时抑制界面呼吸与独立控制反应记忆。
本文通过研究电致发光、光诱导分流(photoshunt)效应以及硅底电池的双二极管特性,揭示了钙钛矿-硅叠层太阳能电池填充因子(FF)损失的机制,并指出克服光诱导分流效应是降低填充因子损失的关键。
本文通过角分辨光电子能谱(ARPES)技术,证明了单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中的准粒子会受到相邻六方氮化硼(hBN)层中远程声子的耦合作用,并提出了一种改进的 Fröhlich 模型来定量描述这种界面电子-声子相互作用。
这项研究发现,在 外延层中,溅射和 ICP 刻蚀产生的离子损伤会导致 (010)、(110) 和 (011) 晶向出现深达 11.5 的电荷耗尽现象,而 (001) 晶向则受影响极小,这可能是由于高能离子沿 [010] 方向的开放通道进入并产生了补偿性点缺陷所致。
本文利用密度泛函理论(DFT)、准粒子自洽$GW$(QS$GW$)及Bethe-Salpeter方程(BSE)方法,研究了砷单层材料在平面蜂窝状与褶皱相之间的电子与光学性质,并阐明了双轴应变诱导的相变及其背后的能带反转机制。
本文通过分子束外延(MBE)技术在Au(111)衬底上实现了高质量单层WS₂的生长,并成功构建了有序的五苯/WS₂有机-过渡金属硫族化合物(OSC/TMD)异质结,实验与理论共同证实该界面呈现出II型(阶梯状)能带对齐。
本文通过硼掺杂策略提升了层状 正极材料的电化学性能与扩散动力学,并结合 DRT 分析、DFT 计算及分子动力学模拟,从结构稳定性、离子传输路径及电子性质等方面深入揭示了其性能增强的机理。
本研究报道了通过分子束外延技术在石墨烯/碳化硅模板上高质量、大规模外延生长 Fe3GaTe2 的突破性成果,所形成的范德华异质结构展现出稳健的垂直磁各向异性,且居里温度提升至 400 K,远高于室温。