Microscopic Phase-Transition Framework for Gate-Tunable Superconductivity in Monolayer WTe
本文通过构建一个自洽包含 Nambu-Goldstone 相位涨落与 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 涨落的微观相变框架,结合密度泛函理论输入,成功解释了单层 WTe中门控可调超导性在强无序区表现出的反常载流子密度依赖性及超导涨落突变消失等实验现象。
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本文通过构建一个自洽包含 Nambu-Goldstone 相位涨落与 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 涨落的微观相变框架,结合密度泛函理论输入,成功解释了单层 WTe中门控可调超导性在强无序区表现出的反常载流子密度依赖性及超导涨落突变消失等实验现象。
该研究揭示了多层石墨烯中打破对称性的向列序通过显著重塑费米面附近的布洛赫波函数并增强量子度量,从而经由量子几何科恩 - 卢特金机制大幅强化超导配对,为向列性与超导性之间的实验关联提供了微观解释。
本文基于 Kubo-Streda 图解方法,通过解析与半数值计算相结合,研究了菱面体堆叠石墨烯中弱致密与强稀疏杂质对自旋谷极化四分之一金属态反常霍尔电导的影响,并系统分析了包括本征项、侧跳、高斯与非高斯斜散射及能带翘曲在内的多种物理机制。
该研究提出了一种利用局域直流电场调控和电场模拟来定位超导 transmon 量子比特表面双能级系统(TLS)位置的方法,发现尽管电容区域面积更大,但大多数 TLS 实际上集中在通过 lift-off 工艺制备的约瑟夫森结引线附近,从而揭示了 TLS 密度与特定制造工艺的关联并为优化量子比特设计提供了指导。
该研究发现在三重态超导候选材料 UTe中,通过磁场调控和电流脉冲可诱导两种不同涡旋物种间的竞争,从而在无需外部异质结的情况下实现具有非易失性记忆功能的电可控超导开关,为超低功耗超导存储器和量子硬件开辟了新途径。
本文采用 Pechini 溶胶 - 凝胶法结合阳离子分子混合技术成功制备了 Li 掺杂 Bi-2223 超导体,发现 5 mol% Li 掺杂样品在显著简化传统固相反应繁琐工艺的同时,实现了与前者相当的 111.4 K 最高临界温度,并揭示了其层状晶体生长机制及磁通动力学特性。
该研究通过在低温扫描头集成局部电磁屏蔽与低通滤波,将扫描隧道显微镜的能量分辨率提升近一个数量级至 3.7 微电子伏特,并揭示了原子尺度隧穿过程与宏观腔量子电动力学模式之间的直接耦合。
本文通过微观理论模型揭示了波磁体作为多功能平台,能够在无需自旋轨道耦合和塞曼场的情况下实现拓扑超导性,并在施加塞曼场后诱导产生具有玻戈留波夫费米面的非常规有限动量超导态及超导二极管效应。