Flux Trapping Characterization for Superconducting Electronics Using a Cryogenic Widefield NV-Diamond Microscope
该论文介绍了一种用于超导电子器件的低温宽场氮 - 空位(NV)金刚石磁显微镜,该技术能够实现对磁通捕获的快速、微米级成像,并通过测量铌薄膜及图案化条带中的涡旋排出场,揭示了条带宽度在 10 至 20 微米间的行为转变及其与薄膜缺陷的关联,从而为可扩展超导电子学的磁通抑制策略提供了新见解。