Exploration of Fluxonium Parameters for Capacitive Cross-Resonance Gates
该论文通过半解析方法研究了电容耦合的 Fluxonium 量子比特间的交叉共振效应,推导出最大 ZX 相互作用强度的公式,并证明在低于 1 GHz 的频率下可实现残差 ZZ 极低的快速 CNOT 门,同时预测了大尺寸 Fluxonium 器件在结可变性方面比 Transmon 具有更优异的无碰撞产率,从而验证了全 Fluxonium 电容耦合交叉共振架构的可行性。