Imaging topological polar structures in marginally twisted 2D semiconductors
تستخدم هذه الدراسة مجهر قوة الاستجابة الكهروضغطية المتجهي المعتمد على زاوية لتوضيح وجود هياكل الميرون والميرون المضاد غير البديهية طوبولوجياً في ثنائي طبقة ثاني كبريتيد الديسيلينيوم (WSe2) الملتوية بشكل طفيف تجريبياً، والتمييز بنجاح بين النطاقات القطبية من نوع بلوخ الناتجة عن الالتواء ونوع نيل الناتجة عن الإجهاد لإقامة رابط بين الهندسة الموارية والطوبولوجيا في الفضاء الحقيقي في أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد.