Fabrication and Electrical Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with BST Gate Dielectric: A Comparative Study of Two- and Three-Terminal Devices
تقدم هذه الورقة التصنيع المنهجي والتوصيف الكهربائي لترانزستورات الهيترو-بنية (HEMTs) من نوع AlGaN/GaN التي تشتمل على عازل بوابة من مادة BST المترسبة بالترذيذ، مما يظهر الانتقال الناجح من دراسات التلامس الأومي ثنائي الطرف إلى جهاز وظيفي ثلاثي الأطراف مع تعديل واضح للتيار تحت تحكم البوابة.