Two-dimensional Si spin qubit arrays with multilevel interconnects
Die Studie demonstriert, dass sich mit industriellen Fertigungstechniken und mehrschichtigen Interconnect-Prozessen skalierbare, zweidimensionale Silizium-Spin-Qubit-Arrays realisieren lassen, die vollständige Kontrolle über benachbarte Wechselwirkungen ermöglichen und Gate-Fidelitäten von über 99,9 % erreichen.