Electrostatic gate-controlled quantum interference in a high-mobility two-dimensional electron gas at the (LaSr)(AlTa)O/SrTiO interface
Die Studie zeigt, dass an der (LaSr)(AlTa)O/SrTiO-Grenzfläche durch elektrostatisches Gate steuerbare, temperaturstabile Quanteninterferenzoszillationen vom Typ Altshuler-Aronov-Spivak auftreten, die auf geschlossene Leitpfade entlang von Domänenwänden zurückzuführen sind und diese komplexen Oxid-Grenzflächen als vielversprechende Plattform für Quantentechnologien etablieren.