Reducing non-linear effects in Kelvin Probe Force Microscopy of back-gated 2D semiconductors
Die Studie zeigt, dass die Verwendung eines dünnen hBN-Rückgates die nichtlinearen Effekte in der Kelvin-Sonden-Mikroskopie (KPFM) von 2D-Halbleitern minimiert und so eine zuverlässige Bestimmung von Fermi-Niveau, Bandlücken und anderen Materialeigenschaften ermöglicht.