First-principles predictions of band alignment in strained Si/Si1-xGex and Ge/Si1-xGex heterostructures
Diese Studie liefert mittels erster-Prinzipien-Rechnungen präzise, compositionsabhängige Bandkantenverschiebungen für gespannte Si/Si₁₋ₓGeₓ- und Ge/Si₁₋ₓGeₓ-Heterostrukturen, die nichtlineare Effekte erfassen und analytische Formeln für das Design moderner Quantentechnologie-Bauelemente bereitstellen.