Double-Carrier Fitting of Hall Resistance Assisted by Gate-Induced Shubnikov-de Haas Oscillations in Possible Excitonic Insulator Ta2Pd3Te5
In dieser Arbeit wird eine zuverlässige Methode zur Ein-Parameter-Anpassung des Hall-Widerstands in dem möglichen excitonischen Isolator Ta2Pd3Te5 entwickelt, indem Gate-induzierte Shubnikov-de-Haas-Oszillationen genutzt werden, um die Mehrdeutigkeit des herkömmlichen Zwei-Träger-Modells zu überwinden und gleichzeitig neue Belege für den excitonischen Isolator-Zustand zu liefern.
Xing-Chen Guo, An-Qi Wang, Xiu-Tong Deng, Yu-Peng Li, Guo-An Li, Zhi-Yuan Zhang, Xiao-Fan Shi, Xiao Deng, Zi-Wei Dou, Guang-Tong Liu, Fan-Ming Qu, Jie Shen, Li Lu, Zhi-Jun Wang, You-Guo Shi, Hang Li (…)2026-03-02🔬 cond-mat.mes-hall