Robust Excitonic Coherence Driven by In-Plane Anisotropy in a van der Waals Semiconductor
Unter Verwendung der transienten Mikros-Vier-Wellen-Mischungs-Spektroskopie demonstrieren Forscher, dass die In-Plane-Anisotropie in reinem geschichtetem Rheniumdisulfid (ReS2) eine robuste exzitonische Kohärenz mit Resilienz gegenüber Dichte- und Temperaturvariationen antreibt, was aufgrund homogener Übergänge und geringer Unordnung messbare Quantenmerkmale bei Raumtemperatur ermöglicht.