Impact of gate voltage on switching field of perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer
Die Studie kombiniert Simulationen und Experimente, um zu zeigen, dass bei senkrecht magnetisierten Tunnelkontakten mit einer synthetischen Antiferromagnet-Freischicht die spannungsgesteuerte magnetische Anisotropie (VCMA) in Hochwiderstands-Bauelementen das Schaltverhalten dominiert, während bei Niedrigwiderstands-Strukturen Spin-Transfer-Torque und Joule'sche Erwärmung zu nichtlinearem Verhalten führen, was eine skalierbare Optimierung von SOT-MRAM ermöglicht.
K. Fan (IMEC, Leuven, Belgium, Department of Electrical Engineering, ESAT-INSYS Division, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium), S. V. Beek (IMEC, Leuven, Belgium), G. Talmelli (IMEC, Leuve (…)2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall