Cryogenic Loss Limits in Microwave Epitaxial AlN Acoustic Resonators
Diese Arbeit stellt ein physikbasiertes Modell vor, das die temperaturabhängigen Verlustmechanismen in epitaktischen AlN-Akustikresonatoren quantifiziert und durch experimentelle Daten von 6,5 K bis 300 K validiert wird, um die Grenzen der Gütefaktoren für kryogene Anwendungen in der Quantenhardware und 6G-Kommunikation zu bestimmen.