Atomic short-range order control of GeSn as a new degree of freedom for band engineering
Die Studie zeigt, dass die gezielte Kontrolle der chemischen Nahordnung in GeSn-Legierungen durch die Wahl des Wachstumsverfahrens (MBE oder CVD) als neuer Freiheitsgrad für das Bandlücken-Engineering dient und so die Entwicklung hochqualitativer, gitterangepasster Si-basierter Bauelemente ermöglicht.