Uncovering the properties of homo-epitaxial GaN devices through cross-sectional infrared nanoscopy
Diese Studie demonstriert, dass die streuende Rasternahfeldoptik (s-SNOM) im mittleren Infrarot- und Terahertz-Bereich eine überlegene, nicht-destruktive Methode zur hochauflösenden Charakterisierung von Ladungsträgerdichten und sub-surface Defekten in homoepitaxialen GaN-P-i-N-Dioden darstellt, die herkömmliche Techniken wie Mikro-Raman-Spektroskopie und KPFM in Auflösung und Empfindlichkeit übertrifft.
Hossein Zandipour, Felix Kaps, Robin Buschbeck, Maximilian Obst, Aditha Senarath, Richarda Niemann, Niclas S. Mueller, Gonzalo Alvarez-Perez, Katja Diaz-Granados, Ryan A Kowalski, Jakob Wetzel, Raghunandan Balasubramanyam Iyer, Matthew Wortel, J. Michael Klopf, Travis Anderson, Alan Jacobs, Mona Ebrish, Lukas M. Eng, Alexander Paarman, Susanne C. Kehr, Joshua D. Caldwell, Thomas G. FollandWed, 11 Ma🔬 cond-mat.mtrl-sci