Intrinsic Even-Odd Thickness-Driven Anomalous Hall in Epitaxial MnBi2Te4 Thin Films
Die Studie demonstriert, dass durch präzise Molekularstrahlepitaxie hergestellte MnBi2Te4-Dünnschichten eine ausgeprägte geradzahlige-ungeradzahlige Schichtabhängigkeit des anomalen Hall-Effekts aufweisen, wobei ungerade Schichten einen großen Hystereseeffekt bis zur Néel-Temperatur zeigen und so einen wichtigen Schritt zur Realisierung des quantenmechanischen anomalen Hall-Effekts ohne externes Magnetfeld darstellen.