Role of Local Structural Variation in X-ray Photoelectron Spectrum of Silicon Oxide Interfaces
Die Studie zeigt auf, dass die breiten Röntgenphotoelektronenspektren von Siliziumoxid-Grenzflächen aus einer kontinuierlichen statistischen Verteilung der Kernniveaus-Bindungsenergien über variierende lokale Strukturmotive resultieren, was distinkte chemische Fingerabdrücke verschleiert und konventionelle Spektralzuordnungsmethoden infrage stellt.