Revealing Charge Transfer in Defect-Engineered 4H-TaS
Diese Studie nutzt groß angelegte DFT-Rechnungen, um über 90 Defekte in 4H-TaS zu analysieren und deren mikroskopische Natur sowie ihren Einfluss auf den ladungsübertragenden Wechsel zwischen den Mott-isolierenden 1T- und metallischen 1H-Schichten aufzuklären.