Observation of quasi-steady dark excitons and gap phase in a doped semiconductor
In dieser Studie wird mithilfe der winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie die Erzeugung, Detektion und Kontrolle von quasi-stationären dunklen Exzitonen in dem dotierten Halbleiter SnSe2 nachgewiesen, was zur Entdeckung einer anisotropen exzitonischen Bandlücke führt und das Forschungsfeld von ultraschnellen Prozessen auf quasi-gleichgewichtige Bedingungen erweitert.