Room-temperature magnetic p-n junctions for charge-and-spin diodes
Diese Studie stellt magnetische p-n-Übergänge aus einem p-dotierten amorphen Halbleiter und n-dotiertem Silizium vor, die bei Raumtemperatur sowohl Ladungs- als auch Spin-Diodeneigenschaften aufweisen und durch Manipulation spinpolarisierter Raumladungen eine signifikante magnetische Verstärkung ermöglichen.