Engineering Wake-Up-Free Ferroelectric Capacitors with Enhanced High-Temperature Reliability
Die Studie zeigt, dass die Verwendung von plasmaunterstützter ALD zur Abscheidung von HZO-Filmen auf Wolfram-Elektroden im Gegensatz zu Titan-Nitrid-Elektroden wake-up-freie Ferroelektrika mit verbesserter Hochtemperaturzuverlässigkeit ermöglicht, wobei eine oxidierte Wolfram-Grenzschicht als entscheidender Faktor für die Endurance-Verbesserung identifiziert wird.