Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
Dieser Artikel zeigt, dass die atmosphärische Druck-Chemische Gasphasenabscheidung (AP-CVD) bei milden Temperaturen (140 °C) hochleistungsfähige H:In2O3-Transparente-Leitoxid-Filme mit überlegener Leitfähigkeit und Transmission im Vergleich zu kommerziellen Standards schnell und kosteneffizient synthetisieren kann, wobei wasserbasierte Wasserstoffdotierstoffe genutzt werden, um die Ladungsträgerbeweglichkeit signifikant zu steigern.