Vacancy-Enhanced Bonding and Deep Level Complex Defect Formation in
Berechnungen aus ersten Prinzipien zeigen, dass stickstoffbezogene Defektkomplexe in , insbesondere solche, die durch Sauerstoff- und Galliumleerstellen verstärkt werden, stabile tief liegende Einfangzentren bilden, die lokalisierte elektronische Zustände innerhalb der Bandlücke einführen und dadurch den Ladungsträgertransport einschränken sowie ein halbisolierendes Verhalten begünstigen.