Grafted Low-Leakage Si/AlN p-n Diodes Enabled by Fluorinated AlN Interface
Diese Studie stellt eine Interface-Engineering-Strategie vor, die durch Fluoridierung und SiNx-Passivierung die Oberflächenchemie von AlN stabilisiert und so in Si/AlN-Heteroübergangs-Dioden die Rückwärtsleckströme um mehrere Größenordnungen reduziert, ohne die Vorwärtseigenschaften zu beeinträchtigen.