Oxide-nitride heteroepitaxy for low-loss dielectrics in superconducting quantum circuits
Diese Studie demonstriert die erfolgreiche Integration von epitaktischem γ-Al2O3 in eine TiN-Heteroepitaxiestruktur mittels Pulsed Laser Deposition und weist erstmals einen intrinsisch niedrigen Zwei-Niveau-System-Verlust von (2,8±0,1)×10−5 nach, was diese Materialkombination zu einem vielversprechenden Ansatz für verlustarme supraleitende Quantenschaltungen macht.
David A. Garcia-Wetten, Mitchell J. Walker, Peter G. Lim, André Vallières, Maria G. Jimenez-Guillermo, Miguel A. Alvarado, Dominic P. Goronzy, Anna Grassellino, Jens Koch, Vinayak P. Dravid, Mark C. H (…)2026-04-01⚛️ quant-ph