Internal Charge Amplification in Germanium at 77K and 4K: From Single-Free-Flight Bounds to a Physics-Informed Ionization Model
Die Arbeit stellt ein kompaktes, physikbasiertes Modell zur Vorhersage der kritischen elektrischen Feldstärke für die interne Ladungsverstärkung in Germanium bei 77 K und 4 K vor, das einfache Obergrenzen mit einem detaillierten Stoßionisationsmodell vereint und praktische Kalibrierungsformeln für das Design kryogener Halbleiterdetektoren liefert.