The study of bulk damage of high gamma-irradiated -in- silicon diodes
Diese Studie untersucht die Volumenbeschädigung in hoch-sauerstoffhaltigen und variierenden Widerstandsverhältnissen aufweisenden -in--Siliziumdioden unter Bestrahlung mit hoher Gammadosis, wobei ein linearer Anstieg des Leckstroms, eine nicht-monotone Entwicklung der Vollverarmungspannung infolge von Akzeptorentfernung sowie ein bemerkenswertes Ausbleiben von Temperatureffekten auf die elektrischen Eigenschaften nachgewiesen werden.