Novel High-Radiopurity Doped Amorphous Silicon Resistors for Low-Background Detectors
Diese Arbeit stellt die Entwicklung hochreiner, leicht dotierter amorpher Silizium-Widerstände vor, die speziell für den Einsatz in hochempfindlichen Detektoren der Teilchenphysik, wie etwa für das nEXO-Experiment, optimiert wurden.