Orientation-controlled area-selective deposition of near-single-grain ruthenium interconnects
Diese Arbeit präsentiert eine orientierungsgesteuerte, flächenselektive Abscheidungsstrategie, die ein bevorzugtes Wachstum auf einem kristallinen Template und periodische Ozonexposition nutzt, um unerwünschte Keime zu eliminieren, wodurch die Herstellung von nahezu einkristallinen Ruthenium-Interconnects mit signifikant reduziertem Widerstand und elektrischer Variabilität in nanoskaligen Vias ermöglicht wird.