Symmetry-guided interfacial Ti incorporation in epitaxial Sr-doped HfO2 memristors for energy-efficient analog computing
Diese Studie zeigt, dass die symmetriegesteuerte Grenzflächen-Ti-Inkorporation in epitaktischem Sr-dotiertem HfO₂ die ferroelektrische Phase stabilisiert und den Ladungsträgertransport reguliert, was hochlanglebige Memristoren mit 1.104 Analogzuständen ermöglicht, die ein ultra-energieeffizientes In-Memory-Computing für Aufgaben wie Bildrekonstruktion und Robotersteuerung realisieren.