Biaxial Strain-Tunable Type-II MoS₂/WSe₂ van der Waals Heterostructures: Band Alignment Engineering and Broadband Photodetection from the Visible to the Near-Infrared
Diese Studie etabliert quantitative Designregeln für biaxial spannungstunbare MoS₂/WSe₂-Van-der-Waals-Heterostrukturen, indem sie zeigt, dass das Aufbringen von bis zu 2 % Zugspannung die Bandlücke systematisch reduziert und den Interlayer-Ladungstransfer optimiert, wodurch die Breitband-Photodetektorleistung mit einer Spitzenresponsivität und Detektivität bei 1,5 % Spannung gesteigert wird.