Minimal-process CMOS-compatible resistive switches with intrinsic analog plasticity via oxygen implantation in Si
Diese Arbeit demonstriert einen minimalen, CMOS-kompatiblen Ansatz zur Herstellung stabiler resistiver Schalter mit intrinsischer analoger Plastizität durch die direkte Implantation von Sauerstoff in Silizium, um kontrollierte nichtstöchiometrische SiOₓ-Schichten zu erzeugen, die ein sauerstofffehlstellengetriebenes Schalten und eine kumulative Defektreorganisation aufweisen, welche für neuromorphe Anwendungen geeignet sind.