Composition-Driven Defect and Interface Engineering in Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄ Nano-Interlayers for High-Performance Cu/p-Si MIS Schottky Ultraviolet Photodiodes
Diese Studie zeigt, dass die durch Zinksubstitution in Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄-Nano-Zwischenschichten bewirkte zusammensetzungsgesteuerte Defekt- und Grenzflächentechnik die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Cu/p-Si-MIS-Schottky-Fotodioden signifikant verbessert, was zu einer optimierten Ultraviolett-Detektionsleistung mit hoher Responsivität, Quanteneffizienz und Detektivität führt.