Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Diese Studie zeigt, dass hochwertige, undotierte homoepitaktische GaAs-Dünnschichten mit glatten Oberflächen, niedrigen Ladungsträgerkonzentrationen und hoher Mobilität unter Verwendung von Triethylgallium (TEGa) und tertiärbutylarsin (TBAs)-Präkursoren bei Wachstumstemperaturen von 600 °C und darüber erfolgreich gezüchtet werden können, wobei sie Filme, die bei niedrigeren Temperaturen gezüchtet wurden, signifikant übertreffen.