A Statistical Framework for Laser-Induced Subsurface Modification and Cracking in 4H-SiC
Diese Arbeit etabliert einen probabilistischen statistischen Rahmen unter Verwendung der Weibull-Analyse und morphologischer Charakterisierung, um den Übergang von oberflächennaher Modifikation zu stabilem Rissbildung in 4H-SiC abzubilden, wobei den Pulsabstand als den kritischen Parameter zur Definition reproduzierbarer Laser-Slicing-Prozessfenster identifiziert.