g-tensor Optimization in Ge/SiGe Quantum Dots
Diese Arbeit stellt ein flexibles Optimierungskonzept zur gezielten Beeinflussung der g-Tensor-Eigenschaften in planaren Ge/SiGe-Quantenpunkten vor, das durch numerische Bestimmung optimaler Potentialmodifikationen über Anpassungen der Siliziumkonzentration die in-plane-Komponenten des g-Tensors unterdrückt und damit zuverlässige, skalierbare Operationen von Loch-Spin-Qubits ermöglicht.